Компания AMD официально сообщила об изготовлении первого в индустрии процессора, созданного при помощи технологии экстремальной ультра-фиолетовой литографии. Надо отметить, что над созданием технологии изготовления интегральных микросхем с применением EUV-техники сотрудники AMD работали совместно с сотрудниками компании IBM. Технология «экстремального ультрафиолета», как ожидается, станет популярным решением при изготовлении интегральных микросхем следующих поколений, когда индустрия перейдет на более «тонкий» технологический процесс, главной же отличительной ее особенностью является использование излучения с длиной волны 13,5 нм, тогда как сегодня применяется излучение с длиной волны 193 нм. Именно за счет этого инженеры получаются возможность формировать на кремниевой пластине более «тонкий» дизайн ИС.

Изготовление новых микросхем с применением EUV-литографии проходило в несколько этапов, первым из которых является формирование базовых элементов при помощи иммерсионной литографии с использование 193-нм излучения на заводе AMD Fab 36 в Дрездене. Затем обработанные кремниевые пластины поступали в исследовательские лаборатории IBM, расположенные близ Нью-Йорка. Здесь осуществлялось формирование первого слоя металлических межсоединений между транзисторами, сформированными на пластине на фабрике AMD. Именно на этом этапе разработчики использовали технологию EUV-литографии.

После нанесения «рисунка», травления и осаждения слоя металла осуществлялось тестирование «полуфабриката», которое показало, что характеристики устройств, изготовленных по современной технологии и с использованием EUV-литографии, идентичны. Это показало «зрелость» технологии изготовления микросхем с использованием «экстремального ультрафиолета».

Следующим этапом исследований значится изготовлением микросхем, в случае которых EUV-литография используется не на отдельном этапе формирования структуры микрочипов, а включено в полный технологический цикл. Планируется, что новая техника получит широкое применение ближе к 2016 году, когда в производство попадут 22-нм микросхемы.